特許

J-GLOBAL ID：200903018758844724

半導体装置

発明者： 岡林 秀和 ,  喜多村 宏之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142478
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の配線における高アスペクト比の微細なコンタクト孔やビアでのアルミニウム(Al)合金配線の被覆性や埋め込み性の低下を防ぐ。【構成】 コンタクト孔やビア内の主たる配線17′及び23として、希土類元素濃度が約5原子%以上のAl-希土類元素合金、または、Al-希土類-遷移金属合金を用いることによって、低温で形成しても、コンタクト孔やビア内での被覆性や埋め込み性が良好になるようにする。

請求項（抜粋）：

基板へのコンタクト孔、あるいは、多層配線における上下層間の接続孔内の主たる配線が、希土類元素濃度が約5原子%以上のAl-希土類元素合金、または、Al-希土類元素-遷移金属合金によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/90 B