特許

J-GLOBAL ID：200903018762241350

半導体装置およびその製造方法

発明者： 石長 篤
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216257
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 同一半導体基板上にゲート絶縁膜厚の異なる2種類のトランジスタを形成する際に、それらのゲート絶縁膜が膜厚制御性に優れ、高信頼性の膜とし、2種類のトランジスタの信頼性を確保する。【解決手段】 NOガス203雰囲気中で400〜1000°Cの熱処理を行い、シリコン基板201表面にシリコン窒化膜204を形成する。低圧系トランジスタ形成領域Bをレジスト205で覆い、ウェットエッチングにより高圧系トランジスタ形成領域Aのシリコン窒化膜204を除去する。レジスト205を剥離した後、酸化処理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Aのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜ゲート絶縁膜208を形成する。このとき、低圧系トランジスタ形成領域Bでは、シリコン基板201表面にシリコン窒化膜204が存在しているため、厚膜ゲート絶縁膜208よりも薄い薄膜ゲート絶縁膜207が形成される。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板上に、膜厚の厚い厚膜ゲート絶縁膜を有する第1のトランジスタと、前記厚膜ゲート絶縁膜より膜厚の薄い薄膜ゲート絶縁膜を有する第2のトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記厚膜ゲート絶縁膜は単層のシリコン酸化膜で構成され、前記薄膜ゲート絶縁膜は膜中に窒素原子を含んだシリコン酸化膜で構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (11件)：

5F040DA19 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EK01 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BG12