半導体磁気センサおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303189
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110118
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】再結合中心の定量的コントロールが容易であり、また量産性のすぐれた半導体磁気センサを得る。【解決手段】一導電型の第一の半導体基板の主表面に形成された、逆導電型で低不純物濃度の第二の半導体層内に、相異なる導電型のP+型アノード層とN+型カソード層とが設けられ、かつ、該第二の半導体層の表面であって、該P+型アノード層とN+型カソード層とに挟まれる領域内に、多結晶半導体層が形成された半導体磁気センサとする。

請求項（抜粋）：

一導電型の第一の半導体層と該第一の半導体層の主表面上の逆導電型で低不純物濃度の第二の半導体層と、該第二の半導体層内に設けられた、相異なる導電型のアノード層とカソード層と、前記第二の半導体層の表面であって、該アノード層とカソード層とに挟まれる領域内に設けられた多結晶半導体層とから成ることを特徴とする半導体磁気センサ。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特公昭49-022593
特公昭48-028958
特公昭47-033995

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審査官引用 (12件)

特公昭46-031622
特公昭49-022593
特公昭49-022593

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