特許

J-GLOBAL ID：200903018769454588

半導体製造装置の反応ガス導入ノズル支持構造

発明者： 谷山 智志 ,  柳川 秀宏
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-088886
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260298
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置の縦型炉に設けられる反応ガス導入ノズルの垂直度の調整が容易であり、又保持が確実に行われるノズル支持構造に関するものである。【解決手段】縦型炉の内部に反応室を画成する反応管3がインレットフランジ5を介して立設され、前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入ノズルが前記反応室内の軸心と平行に立設される反応ガス導入ノズル6の支持構造に於いて、反応ガス導入ノズルの下端部6aが水平方向に屈曲し、該下端部の外端が前記インレットフランジ貫通部で支持され、又該インレットフランジに設けられた支持部材に支持ブロック20が取付けられ、該支持ブロックにより前記下端部の内端側が支持される構造であり、下端部が外端側、内端側の2箇所で支持されるので取付けが確実になり、又垂直度の調整も容易になる。

請求項（抜粋）：

縦型炉の内部に反応室を画成する反応管がインレットフランジを介して立設され、前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入ノズルが前記反応室内の軸心と平行に立設される反応ガス導入ノズルの支持構造に於いて、反応ガス導入ノズルの下端部が水平方向に屈曲し、該下端部の外端が前記インレットフランジ貫通部で支持され、又該インレットフランジに設けられた支持部材に支持ブロックが取付けられ、該支持ブロックにより前記下端部の内端側が支持されることを特徴とする半導体製造装置の反応ガス導入ノズル支持構造。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 S ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 D