特許

J-GLOBAL ID：200903018778576181

半導体光微分器

発明者： 細田 誠 ,  川島 健児 ,  藤原 賢三
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220040
公開番号（公開出願番号）：特開平6-067244
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 従来例に比較し構成が簡単であってかつ消費電力が小さく、しかも時間応答が速い光微分器を提供する。【構成】 それぞれ多重量子井戸構造又は超格子構造の真性半導体i層を有し逆バイアス電圧を変化することによって光吸収端付近の波長領域で光吸収率が変化する2個のヘテロ接合pin型ダイオードが直列に接続され、その直列接続された両端に逆バイアス電圧印加用の可変電圧源が接続され、一方のpin型ダイオードに所定の光量のバイアス光が印加される一方、他方のpin型ダイオードに光微分すべき信号光を入射することによって、当該信号光を入射したpin型ダイオードから信号光を光微分した微分光を得る。

請求項（抜粋）：

それぞれ多重量子井戸構造又は超格子構造の真性半導体i層を有し逆バイアス電圧を変化することによって光吸収端付近の波長領域で光吸収率が変化する2個のヘテロ接合pin型ダイオードが直列に接続され、その直列接続された両端に逆バイアス電圧印加用の可変電圧源が接続され、一方のpin型ダイオードに所定の光量のバイアス光が印加される一方、他方のpin型ダイオードに光微分すべき信号光を入射することによって、当該信号光を入射したpin型ダイオードから信号光を光微分した微分光を得ることを特徴とする半導体光微分器。

IPC (2件)：

G02F 3/02 ,  H01L 31/14