特許

J-GLOBAL ID：200903018782229160

半導体装置の製造方法

発明者： 大野 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074595
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274093
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりの高い製造方法や製造装置を提供する。TFT良品の一台当たりの製造コストを安価にできる製造方法や製造装置を提供する。適切な厚さの各層を備えた薄膜トランジスタを製造できる製造方法や製造装置を提供する。【解決手段】 結晶質の薄膜と非晶質の薄膜との間で特徴的に表れる、半導体の分光特性の違いに着目し、この分光特性の変化をモニタリングすることにより非晶質層の成否、及び、結晶状態の回復の成否を判別する。薄膜を形成する際に良品であるか否かを判別できるので最終製品のTFTの歩留まりが向上する。また、この分光特性の変化から不純物注入の終点管理、及び、活性化の終点管理を正確に行うことができるので薄膜内に正確な厚さの非晶質層、及び結晶質層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

多結晶半導体基板に不純物を注入する不純物注入工程と、前記多結晶半導体基板を熱処理することにより、不純物の活性化及ぴ結晶状態の回復を行う活性化工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記不純物注入工程は、前記多結晶半導体基板の光反射率を測定することにより該多結晶半導体基板の結晶化率を算出し、該結晶化率に基づいて多結晶半導体基板内部の不純物濃度分布を制御する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  G01N 21/27 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/265 T ,  G01N 21/27 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 624 ,  H01L 29/78 627 G