特許
J-GLOBAL ID：200903018784788719
オンチップ・マイクロレンズの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201266
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038074
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 形状のばらつきが小さく且つパッシベーション能力の高いマイクロレンズの形成方法を提供する。【構成】 Si基板101 の表面領域に受光領域102 を形成したウェハー100 に、平坦層103 を介して受光領域102 の全体を抜くようにパターン化したAl膜104 を形成する。そしてこのウェハー100 を、HFにSiO2 を飽和状態になるまで溶かし込んだ溶液に浸漬する。これにより、Al膜104 はエッチングされると共に、Al膜104 の存在しない領域にSiO2 が堆積され、SiO2 膜108 よりなるマイクロレンズ109 が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面領域に複数の光電変換素子をマトリクス状に配設してなる固体撮像装置上に、オンチップで、前記各光電変換素子に対応する部分に入射光を収束するマイクロレンズを形成する方法において、前記固体撮像装置がレイアウトされたウェハー上に、HFに可溶な物質をパターン化して形成する工程と、該ウェハーをHFにSiO2 が飽和状態となるまで溶解された溶液に浸漬し、前記パターン形成されたHFに可溶な物質を溶解させると共にSiO2を堆積させる工程とを含むことを特徴とするオンチップ・マイクロレンズの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 27/14
, G02B 3/00
, H04N 5/335
