特許
J-GLOBAL ID：200903018785467657

磁気記憶装置及びその書き込み/読み出し方法

発明者：
岩田 佳久

岩田 佳久 について

, 
藤田 勝之

藤田 勝之 について

, 
清水 有威

清水 有威 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272039
公開番号（公開出願番号）：特開2008-090957
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】大容量メモリを実現する。【解決手段】磁気記憶装置は、磁壁12で区切られた磁区11からなる複数のセルで構成され、このセル毎に情報が記録された磁性配線10と、この磁性配線の一端部に配置された書き込み用素子20と、磁性配線の他端部に配置された読み出し用素子30とを具備する。書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Iwを流し、この書き込み電流Iwにより発生する磁場を磁性配線10の一端部に位置するターゲットセル(書き込みたいアドレスのセル)TC-wに印加する。読み出し用素子30はMTJ素子(磁気抵抗効果素子)からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁壁で区切られた磁区からなる複数のセルで構成され、前記セル毎に情報が記録された第1の磁性配線と、 前記第1の磁性配線の一端部に配置された第1の書き込み用素子と、 前記第1の磁性配線の他端部に配置された第1の読み出し用素子と を具備することを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (7件)：
G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 150 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 100
Fターム (18件)：
4M119AA11 ,  4M119BB20 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD01 ,  4M119DD33 ,  4M119DD48 ,  4M119EE21 ,  4M119EE26 ,  4M119FF05 ,  4M119FF17 ,  5F092AA12 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,834,995号明細書
  • 米国特許第6,834,005号明細書
  • 米国特許出願公開第2004/0252538号明細書
審査官引用 (2件)

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