特許
J-GLOBAL ID：200903018789082482
反射防止膜材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-284281
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090615
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 微細で寸法精度及び合わせ精度が高く、簡便で生産性が高く、再現性良くレジストパターンを形成し、安価で、環境に安全な反射防止膜材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基盤上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、水に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴とする反射防止膜材料。
請求項（抜粋）：
基盤上に形成したフォトレジスト層上に形成され、露光後に溶剤で除去される透明な反射防止膜を形成する反射防止膜において、下記一般式(1)〜(3)で示される水に可溶なフッ素系樹脂を主成分とすることを特徴とする反射防止膜材料。【化1】(式中、R1、R2はそれぞれ水素原子又はフッ素原子、R3は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、R4は-(CH2)a(CF2)bX又は-CR10R11R12、R5は水素原子、メチル基、カルボキシル基、R6は水素原子、メチル基、カルボキシル基、-CH2COOH、R7はカルボキシル基、スルホ基、-C(=O)YR13COOH、-C(=O)YR13SO3H、R8は水素原子又はメチル基、R9は水素原子又は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、R10〜R12は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基でR10〜R12のうち少なくとも2つはフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基、R13は炭素数1〜6の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基である。また、Xは水素原子、フッ素原子、Yは-O-、-NH-であり、aは0〜2、bは1〜8、cは2〜5の整数、mとnの比はm:n=1:9〜9:1である。)
IPC (3件)：
G03F 7/004 506
, G03F 7/11 501
, H01L 21/027
G03F 7/004 506
, G03F 7/11 501
, H01L 21/30 569 F
, H01L 21/30 574
