特許

J-GLOBAL ID：200903018790499540

ホトルミネセンス発光構造および発光方法

発明者： チ - チェン チョウ ,  ツェン フワング リン ,  ショウ - コング ファン ,  ウオルター エム.ダンカン
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-243292
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224472
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 Siベース基板上のNdドープトCaF2 薄膜からホトルミネセンス放出線を発生する装置および方法を提供する。【構成】 シリコン(240)もしくは反射層(238)上に成長させた薄膜CaF2 (234)からホトルミネセンス発光を生じる方法および装置により0.2μm程の厚さのCaF2 に対しても狭い放出線幅および高い放出強度が示される。実施例はNd等の希土類がドープされている。

請求項（抜粋）：

ホトルミネセンス発光構造において、該構造は前記発光の波長における放射のおよそ90%よりも多くを反射する性質を有する反射材層と、遷移元素がドープされた前記反射材層上のCaF2 層からなるホトルミネセンス発光構造。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/77 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-042880
  
• 特開平4-234183
  
• 特開平1-094689