フォトマスクの製造方法、露光方法および半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-220044
公開番号（公開出願番号）：特開2006-330760
出願日： 2006年08月11日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】収差の影響を考慮したフォトマスクの製造方法および露光方法を提供する。【解決手段】石英などからなる透明基板51の上に、透過する露光光の透過率と位相角とを制御するためのシフタ膜52を形成する。このシフタ膜52の材質としては、たとえばMoSiO、MoSiON、CrO、CrONなどが用いられる。レジスト膜52をマスクにして、MoSiOとMoSiONとに対してはCF4+O2ガス、CrOとCrONとに対してはCL2CO2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜52のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部852を形成する。その後、レジスト膜53を除去することにより、フォトマスク50を完成させる。【選択図】図19

請求項（抜粋）：

透明基板の上に、露光光の透過率と位相角とを調整するための光制御膜を形成する工程と、前記光制御膜の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の上に、第1のパターンを有し、半導体装置を形成するための第1の領域と、前記第1のパターンのサイズと略同程度のサイズを有するパターンを複数個組合せた第2のパターンを有し、前記半導体装置の重ね合せ精度を測定するための重ね合わせ精度測定マークを形成するための第2の領域とを形成する工程と、前記レジスト膜の前記第1の領域の前記第1のパターンと、前記第2の領域の前記第2のパターンとに従って、前記光制御膜のパターニングを行なう工程と、を備えた、フォトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , G03F 9/00

FI (5件)：

G03F1/08 N , G03F1/08 A , H01L21/30 502P , H01L21/30 520C , G03F9/00 H

Fターム (15件)：

2H095BB03 , 2H095BB34 , 2H095BC09 , 2H095BC24 , 2H095BE03 , 5F046AA25 , 5F046EA03 , 5F046EA04 , 5F046EA09 , 5F046EA13 , 5F046EA14 , 5F046EA15 , 5F046EB01 , 5F046EC05 , 5F046FC03

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