浅い拡散層を有する半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032379
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243652
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 MIS型FETにおいて、短チャネル効果を抑えるための浅い接合をリーク電流と抵抗の増加を抑えて実現する。【解決手段】半導体層にイオン注入することで、前記半導体層の表面に結晶状態を乱された層4を形成し、前記半導体層に不純物イオンをイオン注入して不純物注入層5を形成し、前記不純物の拡散を引き起こさない温度範囲の第1のアニールによって前記結晶状態の乱れを回復させ、基板中に存在する点欠陥11を消滅させ、第1のアニールより高温の第2のアニールによって第1のアニールにおいて残留した結晶欠陥12を回復させることによって半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして、半導体層にイオン注入することで前記半導体層の表面の結晶状態を乱す工程と、前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをイオン注入する工程と、前記不純物の拡散を引き起こさない温度範囲の第1のアニールによって前記結晶状態の乱れを回復させる工程と、前記ゲート電極にゲート側壁絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極及びゲート側壁絶縁膜をマスクとして、前記イオン注入した不純物と同一導電型の不純物を、前記イオン注入よりも高いエネルギーでイオン注入する工程と、前記第1のアニールより高温の第2のアニールによって、前記第1のアニールにおいて残留した結晶欠陥を回復させる工程と、を順次為すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602

FI (3件)：

H01L 21/265 602 A , H01L 29/78 301 S , H01L 21/265 F

Fターム (24件)：

5F140AA00 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AC01 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG54 , 5F140BH14 , 5F140BH21 , 5F140BH22 , 5F140BJ05 , 5F140BK02 , 5F140BK03 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140CC07 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021237 出願人：株式会社東芝
半導体基板の熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-216658 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-249740 出願人：株式会社日立製作所

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