特許

J-GLOBAL ID：200903018792373226

半導体装置及びその製造方法

発明者： 紀川 健 ,  高谷 信一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141349
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335346
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】界面準位の発生が少なく、かつ特性劣化の少ない半導体装置を提供すること。【構成】半導体層10上に、フッ化鉛を含む絶縁膜11又はフッ素化合物からなり、かつその誘電率が該半導体層の誘電率以上である絶縁膜11を有する半導体装置。絶縁膜の結晶構造や格子定数が半導体層のそれに類似している方が好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体層と該半導体層上に設けられた絶縁膜とを有する半導体装置において、上記絶縁膜はフッ化鉛を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B