特許
J-GLOBAL ID：200903018798840799
多光子吸収増感反応による導電性高分子の微小パターン形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219390
公開番号（公開出願番号）：特開2006-016582
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：
【課題】 従来の二光子吸収による微小立体構造物の構築では、光重合の反応生成物は、紫外線硬化樹脂などの絶縁性の高分子に限られていた。ポリピロールなどの導電性高分子を同様に加工できれば、電気、情報、医療などの幅広い応用分野で活用できる。従来の導電性高分子の光重合によるパターン形成は、ルテニウム色素などを光増感剤として、その一光子吸収を利用して、間接的にモノマーを酸化重合してきた。この方法では、用いる光源の回折波長限界よりも短い長さの微細加工が困難であり、立体構造物の構築にも適していない。【解決手段】 導電性高分子のモノマーと光増感剤を含む電解質溶液に、フェムト秒パルスレーザーを用いて、増感剤に吸収されない波長の光を集光して照射することで、増感剤の多光子吸収によりモノマーを酸化させ、基板上に導電性高分子の析出物を得る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板に
・ 導電性高分子を形成し得る酸化重合性モノマー、
・ 酸化電位が、前記モノマーより低い酸化剤、
・ 酸化電位が、前記モノマーより高い色素からなる光増感剤、
からなる光重合組成物を適用し、レーザー光を集光し多光子吸収増感反応によりモノマーを光重合させて導電性高分子からなる微小パターンを形成することを特徴とする多光子吸収増感反応による導電性高分子の微小パターン形成法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4J032BA03
, 4J032BA13
, 4J032BA21
, 4J032BC25
, 4J032BC26
, 4J032BC28
, 4J032BC34
, 5E062DD10
