特許

J-GLOBAL ID：200903018799931186

炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子

発明者： 浅井 隆一 ,  漆谷 多二男
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321323
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】炭化けい素の下地板上に炭化けい素の低濃度層を気相成長した基板を用いた炭化けい素半導体素子の特性ばらつきを無くする。【解決手段】炭化けい素の下地板1の被成長面の表面をエッチングし、下地板1と同じ導電型でほぼ同じ不純物濃度の伝導度矯正層2を3μm以上積層し、その上に低濃度層3を積層する。下地板1からの結晶欠陥の伝播が伝導度矯正層2内に止まり、結晶性の良い低濃度層3となる。また、伝導度矯正層2においては、結晶欠陥の電気伝導度に及ぼす影響が、ドープされた高濃度の不純物によりマスクされる。

請求項（抜粋）：

炭化けい素単結晶の下地板上に、下地板と同じ導電型で、結晶欠陥の影響をマスクする程高濃度の不純物を含んだ炭化けい素の伝導度矯正層および下地板より電気伝導度の小さい炭化けい素の低濃度層をエピタキシャル成長したことを特徴とする炭化けい素半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (5件)：

H01L 29/48 P ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/91 F