特許

J-GLOBAL ID：200903018800373605

プラズマ処理装置

発明者： 遠藤 昇佐 ,  今福 光祐
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277512
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111259
出願日： 1993年10月09日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 被処理体を電極に固定するクランプ等の固定具への成膜を抑制してクリーニング回数を軽減できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 本プラズマ処理装置は、処理室2内に互いに対向して配設された一対の第1、第2電極7、13と、この第1電極7に半導体ウエハ1を押圧、固定するクランプ19とを備え、上記処理室2内にプロセスガスを導入し、第1、第2電極7、13間における真空放電により塩素系ガスのプラズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウエハ1をエッチングする装置で、上記クランプ1の内周縁部の表面を比誘電率が9.0以下の絶縁性部材、例えばポリイミド系樹脂24により形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理室内に互いに対向して配設された一対の第1、第2電極と、これら両者のいずれか一方の電極に被処理体を固定する固定具とを備え、上記処理室内にプロセスガスを導入し、上記両電極間における真空放電により所定のガスのプラズマを発生させ、このプラズマにより被処理体を処理するプラズマ処理装置において、上記固定具の少なくとも被処理体側端縁部の表面を比誘電率が9.0以下の絶縁性部材により形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/31 F