特許
J-GLOBAL ID：200903018801260138
固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106553
出願日： 1993年10月06日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】固体撮像素子の高密度化に伴い、より高速で高感度の電荷検出部が必要とされる。これに対応するものとして、浮遊拡散層の容量を小さくし、感度を向上させる。【構成】浮遊拡散層10Aとリセットドレイン領域13Aとの間に1〜2μ幅のP型半導体領域14Aを設ける。浮遊拡散層10Aの信号電荷のリセット動作は、リセットドレイン領域13Aに直接パルス電圧を与え、P型半導体領域14Aにパンチスルーを起させて、電荷を排出する。よって従来のリセットゲート電極が不要になり、浮遊拡散層との間の寄生容量がなくなるので浮遊拡散容量を小さくでき、感度の向上ができる。
請求項（抜粋）：
表面部に第1導電型領域を有する半導体基板の前記第1導電型領域の表面部に設けられた第2導電型領域を埋込型転送チャネルとして有する電荷転送レジスタと、前記電荷転送レジスタに近接し前記第2導電型領域と連結して設けられ前記電荷転送レジスタから信号電荷を受け取る第2導電型の浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層と所定寸法離れて前記第1導電型領域に形成された第2導電型のリセットドレイン領域とを有し、前記リセットドレイン領域にパルス電圧を印加して前記浮遊拡散層との間をパルチスルー状態にして前記浮遊拡散層の信号電荷を掃き出すようにしたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
H01L 29/76 301 C
, H01L 27/14 B
