特許

J-GLOBAL ID：200903018809380000

レーザードーピング処理方法および絶縁ゲイト型半導体 装置とその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  竹村 保彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316138
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151344
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 短チャネルのMOSデバイスを作製する際に、工程の単純で歩留り、スループットの高い不純物ドーピング法を提供する。【構成】 真空チャンバー内に設置された試料に半導体に導電型を与える不純物をドーピングする方法であって、特にチャネル長が0.5μm以下のデバイスや深さが0.1μm以下の不純物領域を作製するときに、真空チャンバー内の雰囲気を不純物を含有する雰囲気とし、この雰囲気中にて、場合によって電極より電磁エネルギー与えながらレーザー光を試料に照射することによって、効率良く試料に対してドーピングを行うことができるレーザー処理方法および処理装置。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の単結晶半導体基板に前記導電型とは逆の導電型を与える不純物ガス雰囲気でパルスレーザー光を照射することによって、前記半導体基板の表面に前記不純物ガスに含有されている不純物をドーピングせしめ、よってその導電型の型および/または強度を変化せしめることを特徴とするレーザードーピング処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/22 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01S 3/00

FI (3件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-208214
  
• 特開平3-148836
  
• 特開平4-118936
  
• 特開平3-218638