プラズマ処理方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-109813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291194
出願日： 1991年04月15日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】静電チャック方式で基板を基板載置台上にチャックするようにしたプラズマ処理において、静電チャックの解除時に残留電荷があっても、基板を簡単、かつ容易に脱着することのできるプラズマ処理方法および装置を提供する。【構成】基板押し上げピン20の下側には、導電性を有する押し上げ部材26が空隙27を介して対向設置してあり、押し上げ部材26は高周波印加電極2と電気的に導通している。基板の処理が完了した時、静電チャックの為に高周波に重畳した直流電圧を先ず遮断して残留電荷を中和し、次いで高周波電圧を遮断する。又、図2の装置では基板押し上げ部材26を介して基板押し上げピン20を基板載置台4の上面に突出させると、基板14から基板押し上げピン20、押し上げ部材26、高周波印加電極2が導通し、残留電荷を接地側に放出する。

請求項（抜粋）：

反応性ガス等のガス導入手段を設けた真空容器内に高周波印加電極を備え、該高周波印加電極上に、高周波印加電極と同電位の金属電極を埋め込んだ誘電体でなる基板載置台を設け、該高周波印加電極にプラズマにより発生する負のセルフバイアス電圧より絶対値で大きい負の直流電圧を重畳することにより、前記基板載置台上の基板を静電チャックし、前記反応性ガス等のガスプラズマにより前記基板をプラズマ処理する方法において、プラズマ処理終了時に、前記直流電圧を遮断した後、所定の時間経過後に、前記高周波電圧を遮断することを特徴とするプラズマ処理方法

IPC (4件)：

H01L 21/302 , H01L 21/205 , H01L 21/68 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-110927
特開昭63-056920
特開平1-189124

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