特許

J-GLOBAL ID：200903018813819017

ドライエッチング装置

発明者： 伊澤 勝 ,  組橋 孝生 ,  田地 新一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-263350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122535
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】エッチング反応生成物の再付着によるエッチングパターンの太り、および異物付着の少ない、ドライエッチング装置を提供する。【構成】ドライエッチング装置において、真空処理室1の壁面もしくはマイクロ波導入窓14を二層構造にし、その内側の壁面16の表面積が大きくなるように小孔15もしくは、貫通した溝を設け、二層を排気装置8に接続する、あるいは、真空処理室1の壁面に溝を設け、壁面の表面積を大きくすることにより、反応生成物を壁面に選択的に吸着させる。また吸着を容易にするため、あらかじめ壁面を電気陰性度の大きい原子で処理する。

請求項（抜粋）：

真空処理室内に処理ガスを導入する手段,前記処理ガスを減圧状態に維持するため前記処理ガスを前記真空処理室外に排気する排気手段,前記処理ガスをマイクロ波電力によりプラズマ化し、前記真空処理室内の処理台上に設置した被処理物をガスプラズマにより処理する手段を有するドライエッチング装置において、前記真空処理室内のプラズマ発生部の内壁面の一部もしくは全体にアスペクト比5以上の凹凸を設けたことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ECRプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306666   出願人：ソニー株式会社
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327524   出願人：株式会社東芝
• アッシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-033660   出願人：富士通株式会社