特許

J-GLOBAL ID：200903018816349003

半導体レーザ素子

発明者： 中塚 慎一 ,  内田 憲治 ,  矢野 振一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-039617
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252509
出願日： 1993年03月01日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】出力一定のもとでレーザビームの焦点でのビーム形状を変化することができる半導体レーザ素子を提供すること。【構成】半導体結晶により構成され、通電により光利得を発生し、光を導波する機能を有するストライプ状の構造と、このストライプ状の構造に光を反射するための反射体と、主電極12と、レーザ光出射端面の近傍領域の電流注入を独立に制御するための端部電極13とを有し、ストライプの構造は、端部電極13の通電時に、近傍領域の導波光スポットが近傍領域以外の領域の導波光スポットに比べ大となるように構成された半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

半導体結晶により構成され、通電により光利得を発生し、光を導波する機能を有するストライプ状の構造と、該ストライプ状の構造に光を反射するための反射体とを有する半導体レーザ素子において、上記ストライプ状の構造の少なくともレーザ光出射端面の近傍領域の電流注入を他の領域と独立に制御するための機構を有し、上記ストライプの構造は、該近傍領域の通電時に、近傍領域の導波光スポットが近傍領域以外の領域の導波光スポットに比べ大となるように構成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。