特許
J-GLOBAL ID：200903018827906575
磁気ヘッド及び磁気記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-048709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247307
出願日： 1997年03月04日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】磁気抵抗効果を利用する磁気ヘッドに関し、磁気抵抗効果素子の静電破壊と、その上下の非磁性絶縁層の静電破壊を防止すること。【解決手段】下地層2上に形成された第一の磁気シールド層11と、第一の磁気シールド層11上に形成された第一の非磁性絶縁層12と、第一の非磁性絶縁層13上に形成された磁気抵抗効果素子13と、第一の非磁性絶縁層13上において、磁気抵抗効果素子13の両側に接続された第一及び第二のリード16,17 と、第一及び第二のリード16,17 と磁気抵抗効果素子13を覆う第二の非磁性絶縁層14と、磁気抵抗効果素子13の上方にあって第二の非磁性絶縁層14上に形成された第二の磁気シールド層15と、第一の非磁性絶縁層12と第二の非磁性絶縁層14のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、第一のリード16と第一の磁気シールド11又は第一のリード16と第二の磁気シールド15を電気的に接続する抵抗素子18(19)とを含む。
請求項（抜粋）：
下地層上に形成された第一の磁気シールド層と、前記第一の磁気シールド層上に形成された第一の非磁性絶縁層と、前記第一の非磁性絶縁層上に形成された磁気抵抗効果素子と、前記第一の非磁性絶縁層上において、前記磁気抵抗効果素子の両側に接続された第一及び第二のリードと、前記第一及び第二のリードと前記磁気抵抗効果素子を覆う第二の非磁性絶縁層と、前記磁気抵抗効果素子の上方にあって前記第二の非磁性絶縁層上に形成された第二の磁気シールド層と、前記第一の非磁性絶縁層と前記第二の非磁性絶縁層のうちの少なくとも一方に埋め込まれて、前記第一のリードと前記第一の磁気シールド又は前記第一のリードと前記第二の磁気シールドを電気的に接続する抵抗素子とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
引用特許：
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