特許

J-GLOBAL ID：200903018828180381

単結晶引上装置

発明者： 島田 博宣 ,  小野 直樹 ,  佐平 健彰 ,  喜田 道夫 ,  新井 義明
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054373
公開番号（公開出願番号）：特開平5-221780
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：

【要約】【目的】 溶融シリコンの対流と接触する石英るつぼの内壁の溶融を抑制し、溶融シリコン中の酸素濃度を低くし、シリコン単結晶棒の酸素濃度を低くできる単結晶引上装置を提供する。【構成】 水平磁界中で溶融シリコン13を保持する石英るつぼ5と、この溶融シリコン13からシリコン単結晶棒14を引き上げる引上機構と、を備えた単結晶引上装置において、石英るつぼ5と溶融シリコン13の対流との接触面の温度を、溶融シリコン13の再結晶温度より高くし、かつ、上記接触面以外の石英るつぼ5の内壁の温度以下にする手段を備えたものである。

請求項（抜粋）：

磁界中で結晶融液を保持するるつぼと、この結晶融液から単結晶棒を引き上げる引上機構と、を備えた単結晶引上装置において、上記るつぼと上記結晶融液の対流との接触面の温度を、上記結晶融液の再結晶温度より高くし、かつ、上記接触面以外の上記るつぼの内壁の温度以下にする手段を備えたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (4件)：

C30B 15/14 ,  C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208