特許

J-GLOBAL ID：200903018829313474

ポリイミド多層回路基板の製造方法

発明者： 水谷 大輔 ,  石月 義克
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314880
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 ポリイミド多層回路基板に関し、樹脂の劣化を抑制した製造方法を実用化することを目的とする。【構成】 ポリイミド多層回路基板を製造する際に導体金属のエッチング工程において残存するアルカリ溶液の溶質を酸水溶液により中和した後、水洗洗浄して除去すると共に、基板上に配線層を介して順次に積層してゆくポリイミド層のイミド化率を、最上層のポリイミド層の形成が終わった段階でそれぞれ100 %になるようイミド化率を制御しつゝ積層することを特徴としてポリイミド多層回路基板の製造方法を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上にポリアミック酸を塗布して後、該ポリアミック酸を加熱し、閉環して得られるポリイミド絶縁層の上に導体金属よりなる配線パターンを形成し、該配線パターンを備えた基板上に再度ポリアミック酸を塗布して後、該ポリアミック酸を加熱し、閉環させてポリイミド絶縁層を形成する工程を繰り返してなる多層回路基板の製造方法において、前記導体金属のエッチング工程において残存するアルカリ溶液の溶質を酸水溶液により中和した後、水洗洗浄して除去することを特徴とするポリイミド多層回路基板の製造方法。