特許
J-GLOBAL ID：200903018831701660
不揮発性メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241127
公開番号（公開出願番号）：特開平5-081148
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 ストア回数を少なくして寿命を延ばす。【構成】 SRAMとEEPROMよりなり、互相の記憶内容を移動できるようにした不揮発性メモリ1と、この不揮発性メモリ1に電源を供給する電源部2と、SRAMの記憶内容の変更を監視する変更監視手段3と、不揮発性メモリ1を管理するメモリ管理手段4を設け、メモリ管理手段4は電源部2が電源を切断する場合で変更監視手段3がSRAMの記憶内容の変更を検出した場合のみSRAMの内容をEEPROMへ書き込むようにする。
請求項（抜粋）：
SRAMとEEPROMよりなり相互の記憶内容を移動できるようにした不揮発性メモリ(1)と、この不揮発性メモリ(1)に電源を供給する電源部(2)と、前記SRAMの記憶内容の変更を監視する変更監視手段(3)と、前記電源部(2)が電源を切断する場合、前記変更監視手段(3)が前記SRAMの記憶内容の変更を検出したときのみ前記SRAMの記憶内容を前記EEPROMに書き込むようにし、前記電源部(2)が前記不揮発性メモリ(1)に電源を投入するときは前記EEPROMの記憶内容を前記SRAMに読み込むよう管理するメモリ管理手段(4)とを備えたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
IPC (3件)：
G06F 12/16 340
, G11C 16/06
, G11C 29/00 301
