特許
J-GLOBAL ID：200903018835062530
パイロデテクター装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125703
公開番号（公開出願番号）：特開平6-331452
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 充分な機械的安定性を持つ大面積のパイロデテクター装置も製造することができるようにする。【構成】 nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板21の第1主面22に電気化学的エッチングによって孔構造24を作り、それにより基板21に構造化領域26を生成し、この構造化領域26の上方において第1主面22上に少なくとも1つのパイロデテクター素子28を配置する。
請求項（抜粋）：
nドーピングされた単結晶シリコンから成る基板(11、21、31)の第1主面(12、22、32)の少なくとも一部分に電気化学的エッチングによって孔構造(15、24、34)が作られ、それにより前記基板(11、21、31)に構造化領域(16、26、37)が生成され、その際前記電気化学的エッチングは、前記基板(11、21、31)がアノードとして接続され前記第1主面(12、22、32)が電解液に接触させられ、エッチング除去に影響する電流密度が調整される電解液内で行われ、少なくとも1つのパイロデテクター素子(18、28、39)が前記第1主面(12、22、32)の構造化部分の上方に設けられることを特徴とするパイロデテクター装置の製造方法。
IPC (3件)：
G01J 5/28
, H01L 21/28
, H01L 21/306
