特許
J-GLOBAL ID：200903018841542675
位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013280
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219211
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 減衰型位相シフトパターンを有するフォトマスクの欠陥を集束イオンビームを用いて正確に修正し得る方法を提供する。【構成】 位相シフトパターン(2)の欠陥領域(3)下において透光性基板(1)を集束イオンビーム(4)を利用してエッチングするとともに、エッチング領域下にイオン注入層(7)を形成し、その欠陥領域を通過する光の位相と透過率を修正する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィの解像力を高めるための減衰型位相シフトパターンが透光性基板上に形成されたフォトマスクにおいて前記位相シフトパターンの欠けた欠陥領域を修正する方法であって、前記欠陥領域下において前記基板を集束イオンビームを用いてエッチングし、前記エッチングの領域下の前記基板内に集束イオンビームを用いてイオン注入し、それによって、前記欠陥領域下の前記基板を通過した光と前記基板の他の領域を通過した光との位相差は、前記位相シフトパターンおよびその下の前記基板を通過した光と前記基板の前記他の領域を通過した光との位相差と同様にされることを特徴とする位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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