特許
J-GLOBAL ID：200903018844693577
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
澁谷 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235436
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204480
出願日： 1981年10月23日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 液晶表示装置に好適な、逆方向リーク電流を低減した絶縁ゲイト型半導体装置を提供する。【構成】 透明導電層23を形成したガラス基板上に、水素が添加された非単結晶半導体により形成されたソース領域12、チャネル形成領域14及びドレイン領域15を積層して構成し、チャネル形成領域14側面に密接したゲイト絶縁膜を備える絶縁ゲイト型半導体装置10と、絶縁ゲイト型半導体装置10に直列に連結した液晶表示部と蓄積容量32とで液晶表示装置を構成する。絶縁ゲイト型半導体装置10の逆方向リーク電流を低減するために、ソース領域12及びドレイン領域15を形成する非単結晶半導体に酸素または窒素を2〜20モル%、または炭素を5〜30モル%添加する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に水素が添加された非単結晶半導体により形成されたソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域に密接してゲイト絶縁膜とを有する絶縁ゲイト型半導体装置と、該絶縁ゲイト型半導体装置に直列に連結した液晶表示部と、蓄積容量とを有し、前記絶縁ゲイト型半導体装置上のソース領域またはドレイン領域は酸素、窒素または炭素が逆方向リーク電流を低減するために添加されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 X
, H01L 29/78 311 S
