シリカ系硬化被膜の形成方法、シリカ系硬化被膜改善用液体、シリカ系硬化被膜及び電子部品

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 赤堀龍吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244270
公開番号（公開出願番号）：特開2006-061762
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】従来のポーラス膜と同等又はそれ以下の比誘電率を有し、しかも十分に機械強度に優れたシリカ系硬化被膜の形成方法を提供する。【解決手段】上記課題を解決する本発明のシリカ系硬化被膜の形成方法は、基板上に形成されたシリカ系被膜内部に第1の触媒を含有する液体を浸透させる第1工程と、第1工程の後にシリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第2工程とを有するものである。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたシリカ系被膜内部に第1の触媒を含有する液体を浸透させる第1工程と、前記第1工程の後に前記シリカ系被膜を硬化してシリカ系硬化被膜を得る第2工程と、を有し、前記シリカ系被膜の表面張力が、前記液体の表面張力よりも大きなものである、シリカ系硬化被膜の形成方法。

IPC (8件)：

B05D 7/24 , C09D 7/12 , C09D 183/04 , C09D 185/00 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (8件)：

B05D7/24 302Y , C09D7/12 , C09D183/04 , C09D185/00 , H01L21/312 C , H01L21/316 G , H01L21/90 Q , H01L21/90 V

Fターム (72件)：

4D075AA01 , 4D075AB01 , 4D075BB24Y , 4D075BB64Z , 4D075BB68Z , 4D075BB76Z , 4D075BB91Z , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB14 , 4D075DC22 , 4D075EA07 , 4D075EB14 , 4D075EB22 , 4D075EB35 , 4D075EB37 , 4D075EB43 , 4D075EB47 , 4D075EC01 , 4D075EC07 , 4D075EC30 , 4D075EC37 , 4J038DL041 , 4J038DL051 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038DM011 , 4J038DM021 , 4J038GA14 , 4J038HA096 , 4J038HA176 , 4J038HA336 , 4J038HA376 , 4J038HA416 , 4J038HA476 , 4J038JA37 , 4J038JA38 , 4J038JA39 , 4J038JA40 , 4J038JA41 , 4J038JB01 , 4J038JC13 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038PA18 , 4J038PB09 , 5F033QQ54 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033SS22 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F033XX25 , 5F033XX34 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD04 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC05 , 5F058BD04 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096476 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社

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