特許

J-GLOBAL ID：200903018850655628

プロセス/デバイスシミュレーション方法及び装置

発明者： 園田 賢一郎 ,  奥村 由香
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-248146
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105178
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 高精度の解を短時間で計算できるプロセス/デバイスシミュレーション装置を得ることを目的とする。【構成】 離散化格子発生手段1が離散化格子を発生して格子点を設定する。格子点限定手段4は、全ての格子点のうち、初期段階の解を求めるべき格子点を限定する。反復計算手段2aは、任意の初期値を与えて、格子点限定手段4が限定した格子点について反復計算を解が収束するまで行い、初期段階の解をそれぞれ求める。補間手段5は、格子点限定手段4が限定しなかった格子点の初期段階の解を補間を使って求める。さらに、反復計算手段2aは、反復計算して初期段階で求めた解及び補間によって得られた解を初期値として全ての格子点について、反復計算して最終的な解をそれぞれ求める。【効果】 任意の初期値を与えて、全ての格子点について最初から反復計算するのに較べて、初期段階の計算回数を削減できる。

請求項（抜粋）：

解析の対象となる領域を分割する離散化格子によって与えられる格子点について、非線形方程式の解を数値計算することによって半導体素子製造工程を経た材料あるいは半導体素子のシミュレーションを行うプロセス/デバイスシミュレーション方法において、解析の対象となる領域内に離散化格子を発生して格子点を設定する格子点発生工程と、前記格子点のうち初期段階の解を求めるための格子点を限定する格子点限定工程と、前記格子点限定工程で限定された前記格子点において、任意の初期値を用い非線形方程式に基づいた反復計算を解が収束するまで行って非線形方程式の変数の初期段階の解をそれぞれ求める第1の反復計算工程と、前記第1の反復計算工程で未だ初期段階の解を決定されていない未選択の前記格子点において、前記第1の反復計算工程で求められた前記初期段階の解を用い、初期段階の解を補間によって決定する補間工程と、前記格子点発生工程で設定した前記格子点の全てにおいて、前記第1の反復計算工程及び前記補間工程で決定された初期段階の解を初期値として用い、前記非線形方程式に基づいた反復計算を解が収束するまで行って該非線形方程式の変数の解をそれぞれ求める第2の反復計算工程とを備える、プロセス/デバイスシミュレーション方法。