特許

J-GLOBAL ID：200903018854174802

縦型MOSFET装置およびその製造方法

発明者： 島田 浩行 ,  弓削 靖
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 和田 成則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134965
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335582
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 スイッチング動作のしきい値電圧を大きくすることなく入力容量を小さくして、ドライブ駆動損失およびスイッチング損失を大幅に改善した縦型MOSFET装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ゲート酸化膜は溝部(8)の側壁部ではチャネルを構成するが、その底部ではチャネルを構成しないことに着目して、溝部(8)の底部のゲート酸化膜(15)の膜厚を溝部(8)の側壁部のゲート酸化膜(16)の膜厚より厚くする。このゲート酸化膜(15、16)は、まず減圧CVDにより溝部(8)が平坦化するまで酸化膜を堆積し、この酸化膜をエッチバックすることにより溝部の底部に厚いゲート酸化膜(15)を形成し、その後、熱酸化により溝部(8)の側壁部に薄いゲート酸化膜(16)を形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型半導体基板または第1の導電型エピタキシャル層の表面部に第2の導電型の第1の拡散層および第1の導電型の第2の拡散層が2重に形成され、更にその表面にゲート酸化膜およびゲート電極が埋設される溝部を有し、かつチャネルが垂直方向に配設される縦型MOSFET装置において、前記ゲート酸化膜の膜厚を前記溝部の側壁部より底部で厚くしたことを特徴とする縦型MOSFET装置。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 321 G ,  H01L 29/78 321 P