特許
J-GLOBAL ID:200903018861576681
半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
紋田 誠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-015328
公開番号(公開出願番号):特開2000-214225
出願日: 1999年01月25日
公開日(公表日): 2000年08月04日
要約:
【要約】【課題】 半導体装置の出力用素子の特性を、接触抵抗及び配線抵抗による誤差分を除去し、正確に測定すると共に、特性測定のために増加するリード端子数を全体で1本とし、リード端子の増加を抑制すること。【解決手段】 半導体装置は、制御信号に応じて駆動される複数個の出力素子と、これら出力素子が接続される出力用リード端子と、単一のセンス用リード端子と、このセンス用リード端子と前記各出力素子との間にそれぞれ接続され、前記各出力素子の駆動と対応して選択的にオン・オフされるスイッチ素子と、信号入力端子のシリアル入力をデコードして前記出力素子を駆動する制御信号に応じた信号及び前記スイッチ素子をオン・オフする信号を出力するデコーダと、を備える。
請求項(抜粋):
制御信号に応じて駆動される複数個の出力素子と、これら出力素子が接続される出力用リード端子と、単一のセンス用リード端子と、このセンス用リード端子と前記各出力素子との間にそれぞれ接続され、選択的にオン・オフされるスイッチ素子と、信号入力用リード端子と、この信号入力用リード端子へのシリアル入力をデコードして前記出力素子を駆動する制御信号に応じた信号及び前記スイッチ素子をオン・オフする信号を出力するデコーダと、を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G01R 31/28 V
, G01R 31/26 G
Fターム (18件):
2G003AA01
, 2G003AA02
, 2G003AA07
, 2G003AB00
, 2G003AE01
, 2G003AF01
, 2G003AG01
, 2G003AG17
, 2G003AH05
, 2G032AA00
, 2G032AB01
, 2G032AD01
, 2G032AJ07
, 2G032AK14
, 2G032AK15
, 9A001JJ45
, 9A001KK37
, 9A001LL05
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