特許

J-GLOBAL ID：200903018863864196

半導体記憶装置

発明者： 中村 俊和 ,  岡島 義憲 ,  菅本 博之
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234844
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050191
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】冗長セルアレイは増やさずに冗長の効率を向上させることで、より多くの不良に対応できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体記憶装置は、不良箇所をロー方向及びコラム方向に関して指定するフューズ回路と、フューズ回路がロー方向に関して指定する不良箇所に入力ローアドレスが一致する場合にフューズ回路がコラム方向に関して指定する不良箇所を避けて冗長セルを使用する制御回路を含む。

請求項（抜粋）：

不良箇所をロー方向及びコラム方向に関して指定するフューズ回路と、該フューズ回路がロー方向に関して指定する不良箇所に入力ローアドレスが一致する場合に該フューズ回路がコラム方向に関して指定する不良箇所を避けてデータバスを切り換えることにより冗長セルを使用する制御回路を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

Fターム (6件)：

5L106CC04 ,  5L106CC16 ,  5L106EE07 ,  5L106FF04 ,  5L106FF05 ,  5L106GG00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-051933   出願人：日本電気株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050775   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-203895
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-346133   出願人：日本電気株式会社