特許

J-GLOBAL ID：200903018867861574

ガラスセラミック多層配線基板及びその製造方法並びにガラスセラミック多層配線基板実装構造体

発明者： 安藤 節夫 ,  井上 隆史 ,  渡部 隆好 ,  安藤 昭博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-161750
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018144
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ガラスセラミック多層配線基板の裏面に、入出力ピンを十分な強度と信頼性とを有してガラスセラミック基材に接合できるような接続用電極を備えたガラスセラミック多層配線基板及びその製造方法並びにその実装構造体を提供する。【構成】硼珪酸ガラス及びムライトを主成分とするガラスセラミックを基材とし、内部に銅または銅合金からなる配線導体112を配設し、裏面に、入出力ピン121を配設するための第1の接続用電極114として、配線導体112に接続された厚膜パッドを埋設した多層配線基板111である。表面に薄膜回路パターン116、117を形成し、電子デバイス部品413を搭載・接続するために、前記薄膜回路パターンの所望個所に薄膜回路パターン116に接続され、ニッケル合金からなる接合金属層と表面保護層とを積層させた積層金属膜119で形成された第2の接続用電極を形成した。

請求項（抜粋）：

少なくとも内部に銅または銅合金の配線導体を配設し、裏面に、入出力ピンを配設するための接続用電極として、前記配線導体に接続された銅または銅合金の厚膜パッドを埋設したことを特徴とするガラスセラミック多層配線基板。

FI (4件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S