特許
J-GLOBAL ID：200903018868275776
MOSトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136090
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321860
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 公知の方法に比べてプロセスの出費を低減して製造することのできる平坦なソース/ドレイン領域を有するMOSトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面にゲート誘電体4及びゲート電極5を形成し、ほぼ同形のエッジ被覆を有する絶縁層を析出し、この絶縁層の異方性エッチバックによりゲート電極5の側面にスペーサ6を形成し、半導体基板1の表面を露出及び損傷し、選択エピタキシーにより半導体基板1の露出表面に、ソース/ドレイン領域を形成するための拡散源として適したドープされたポリシリコンパターン8を形成し、このパターン8からの拡散により深さの僅かなソース/ドレイン領域10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)内に2つのソース/ドレイン領域(10)及びそれらの間にチャネル領域が配設されており、チャネル領域の表面にゲート誘電体(4)及びゲート電極(5)が配設されており、ソース/ドレイン領域(10)の表面にそれぞれエピタキシャルに成長させたソース/ドレイン領域(10)と同じ導電形によりドープされているポリシリコンパターン(8)が配設されていることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/205
