特許
J-GLOBAL ID：200903018869758720
電流リード用Bi系酸化物超電導導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125917
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333728
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 臨界電流密度が大きい電流リード用Bi系酸化物超電導導体を提供すること。【構成】 Bi系酸化物超電導バルク導体の高温側に、貴金属被覆Bi系酸化物超電導テープ導体との複合体構造を有する、該バルク導体と貴金属薄体との複合体構造を有する該バルク導体中の貴金属元素の濃度が高温側で大きくなるように貴金属元素が含まれている、または該バルク導体の高温側の有効断面積が大きい電流リード用Bi系酸化物超電導導体およびその製造方法。
請求項（抜粋）：
真空断熱容器内の流体チッ素温度以下の温度に置かれている超電導コイルに室温中に置かれた電源供給装置から励磁電流を通電するために一端が臨界温度をこえない温度、他端が液体チッ素温度以下の温度となるように配置されて用いられる電流リード用Bi系酸化物超電導導体であって、Bi系酸化物超電導バルク導体の一端からその長手方向の全長の1/2以下の部分に、該Bi系酸化物超電導バルク導体と貴金属被覆Bi系酸化物超電導テープ導体との複合体構造を有する電流リード用Bi系酸化物超電導導体。
IPC (3件)：
H01F 5/08 ZAA
, H01B 12/02 ZAA
, H01L 39/04 ZAA
