特許

J-GLOBAL ID：200903018871780430

セラミツクス回路基板

発明者： 小森田 裕 ,  松村 和男 ,  池田 和男 ,  那波 隆之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136290
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】セラミックス回路基板において、(1)セラミックス基板と銅回路板等との接合層に、未接合による強度上のばらつきがなく、接合強度の向上が図れるようにする。(2)セラミックス基板と半導体チップ等とを接合する半田層に、空気や雰囲気ガス等の巻込みおよび溜りによる半田巣が殆ど発生せず、接合強度の向上および半導体チップの信頼性向上等が図れるようにする。【構成】セラミックス基板11に銅回路板等12,14を活性な金属の接合層13を介して一体的に接合する。銅回路板等12,14の表面に半導体チップ16を半田層17を介して接合する。銅回路板等12,14の接合層側の表面に、当該表面を外部に連通する溝15を形成する。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板に銅回路板を活性な金属の接合層を介して一体的に接合するとともに、前記銅回路板の表面に半導体チップを半田層を介して接合したセラミックス回路基板において、前記銅回路板の接合層側の表面に、当該表面を外部に連通する溝または孔を形成したことを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (4件)：

H01L 23/13 ,  H01L 23/36 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/38

FI (2件)：

H01L 23/12 C ,  H01L 23/36 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-072576
  
• 特開昭63-239964