特許

J-GLOBAL ID：200903018872889690

半導体装置およびその作製方法

発明者： 福永 健司 ,  大谷 久
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242254
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083767
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】要約【目的】 ガラス等の絶縁表面を有する基板に形成された非晶質珪素膜を一様に結晶成長させる。【構成】 下地の絶縁膜102が形成されたガラス基板101上に酸化珪素でなるマスク104を設け、106で示される領域に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素(例えばニッケル)を含んだ溶液をスピナー100を用いて塗布する。そしてマスク104を取り除き、非晶質珪素膜103の表面に応力が加わらない状態で加熱処理を施すことにより、基板101に平行な方向に矢印202で示されるような一様な結晶成長を行わせる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の表面に選択的に珪素の結晶化を助長する金属元素を含む層を形成する工程と、加熱処理を施し前記金属元素が導入された領域から前記金属元素が導入されなかった領域へと前記非晶質膜の結晶成長を行わす工程と、を有し、前記結晶成長は基板に平行な方向に行われ、前記基板に平行な方向への結晶成長の先端部は概略(111)面を有し、前記結晶成長が行われた珪素膜の表面は(111)面を有していないことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G