膜形成用組成物、膜形成用組成物の製造方法および絶縁膜形成用材料

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345041
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、塗膜の誘電率やリーク電流特性などに優れた膜形成用組成物。【解決手段】 (A-1)式(1)で表される化合物(R1は水素原子、フッ素原子または有機基を、R2は有機基を示す。)および(A-2)式(2) で表される化合物(R3,R4,R5およびR6は、有機基を、R7は酸素原子または-(CH2)n-、nは1〜6、dは0または1を示す。)から選ばれる化合物の加水分解物、縮合物(B)式(3)で表される溶剤(R8およびR9は、水素原子、アルキル基またはCH3CO-を示し、eは1〜2。)を含有し、プロピレングリコールの含有量が10000ppm以下の膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)下記一般式(3)で表される溶剤R8O(CHCH3CH2O)eR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、eは1〜2の整数を表す。)を含有し、かつプロピレングリコールの含有量が10000ppm以下であることを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (4件)：

C08L 83/04 , C08K 5/06 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4件)：

C08L 83/04 , C08K 5/06 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 H

Fターム (23件)：

4J002CP031 , 4J002EA016 , 4J002EE026 , 4J002EE048 , 4J002EH026 , 4J002EP016 , 4J002EV206 , 4J002EZ007 , 4J002GQ01 , 5F058AA03 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

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