特許
J-GLOBAL ID:200903018875091940

高融点金属ターゲット材,及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-310117
公開番号(公開出願番号):特開平6-158300
出願日: 1992年11月19日
公開日(公表日): 1994年06月07日
要約:
【要約】【目的】 CVDによるスパッターターゲットに関して,経済的な高融点金属ターゲット材及びその製造方法を提供すること。【構成】 タングステンからなる底板1と,この底板1の一面にCVD法によって積層されたタングステンからなる積層部2とを備えている。
請求項(抜粋):
第1の高融点金属からなる底板と,前記底板の一面に積層された第2の高融点金属からなる積層部とを備えたことを特徴とする高融点金属ターゲット材。
IPC (2件):
C23C 14/34 ,  C23C 16/06
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭62-294175
  • 特開昭63-093859

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