特許
J-GLOBAL ID：200903018876250839
電子シェーディングダメージの測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084023
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 サンプルの作成コストが低く、かつ十分な精度を与えることのできる電子シェーディングダメージ測定方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に導電層/窒化膜/酸化膜を積層した第1キャパシタ構造に強制的に電流を流したときの注入電荷量に対するフラットバンド電圧の変化を測定した特性曲線を準備しておく。半導体基板上に導電層5/窒化膜4/酸化膜3を積層した第2キャパシタ構造を準備し、その上に導電層5に接続される導電性のアンテナ層12を形成し、ドライエッチングを行ない、アンテナ層12を完全に除去する。このとき、ドライ処理工程前後の第2キャパシタ構造のフラットバンド電圧を測定し、その変化を算出する得られたフラットバンド電圧の変化から、前記特性曲線を用いて、ドライ処理工程で第2キャパシタ構造に注入された電荷量を推定する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に導電層/窒化膜/酸化膜を積層した第1キャパシタ構造に強制的に電流を流し、注入電荷量に対するフラットバンド電圧の変化を測定した特性曲線を準備する工程と、半導体基板上に導電層/窒化膜/酸化膜を積層した第2キャパシタ構造を準備する工程と、前記第2キャパシタ構造上に開口を有する絶縁層を前記半導体基板上に形成し、その上に前記開口で前記導電層に接続される導電性のアンテナ層を形成し、その上に前記第2キャパシタ構造上に分離されたパターンを残すようループ状開口を含む絶縁性マスクパターンを形成したサンプルを形成する工程と、前記サンプルに測定対象のドライエッチングを行ない、前記ループ状開口下の導電層を完全に除去するドライ処理工程と、前記ドライ処理工程前後の前記第2キャパシタ構造のフラットバンド電圧を測定し、その変化を算出する工程と、前記特性曲線を用いて、得られたフラットバンド電圧の変化から前記ドライ処理で前記第2キャパシタ構造に注入された電荷量を堆定する工程とを含む電子シェーディングダメージの測定方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/66 L
, H01L 21/66 H
, H01L 21/66 Y
, H01L 21/302 Z
