両面同時スパッタ成膜方法及び成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-088217
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】ターゲットのエロージョン領域を拡大しターゲット利用効率を上げると共に、被成膜基板の膜厚の均一化と基板面内で均質な膜を形成することのできる両面同時スパッタ成膜方法及び成膜装置を得ることにある。【構成】被成膜基板1を対称面2として互いに対称な位置にプラズマ8、8’を同時に発生させ、スパッタターゲット5、5’面上でプラズマ8、8’を連続もしくは断続的に移動させながら成膜する。【効果】ターゲットのエロージョン領域を拡大できるのでターゲット材料の有効利用が図れ、かつ成膜速度の向上と膜厚の均一化が図れる。

請求項（抜粋）：

被成膜基板を対称面として互いに対称な位置に同一形状で、同一特性を有するプラズマを同時に発生させ、前記プラズマをスパッタターゲット面上に閉じ込める磁場が互いに干渉し合うに充分な距離にスパッタターゲット面を前記被成膜基板面に近付けた状態で、前記被成膜基板の両面へ同時に成膜する工程を有して成る両面同時スパッタ成膜方法。

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