特許
J-GLOBAL ID：200903018888040910
半導体製造処理装置における副次生成物質の残留蓄積低減装置および方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 正悟 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-272848
公開番号（公開出願番号）：特開平7-316820
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1995年12月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造中における装置内面への副次生成物質の残留蓄積を防止する。【構成】 半導体製造処理装置は、反応チャンバー11と、反応チャンバー11内のガスを排出する真空システム12とを有して構成される。反応チャンバー11および真空システム12の内面の少なくとも一部がポリマー材料によりコーティング21されており、このコーティング21の粘着係数が10-4以下である。なお、コーティング21の蒸気分圧は、チャンバー11の全圧の1%以下であるのが好ましい。
請求項（抜粋）：
反応チャンバーと、この反応チャンバー内のガスをこの反応チャンバーから排出する排出システムとを有してなる半導体製造処理装置において、前記反応チャンバーおよび前記排出システムの内面の少なくとも一部がポリマー材料によりコーティングされており、このコーティングの粘着係数が10-4以下であることを特徴とする半導体製造処理装置における副次生成物質の残留蓄積低減装置。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, C09D127/18 PFG
, H01L 21/205
