特許

J-GLOBAL ID：200903018888827414

半導体装置及びその製造方法

発明者： 久保 博之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-062511
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270687
出願日： 2001年03月06日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 配線部材と不純物拡散層間での寄生容量を大幅に低減できるようにすると共に、配線部材の電圧による不純物拡散層の反転を確実に阻止できるようにする。【解決手段】 基板1と、基板1内の所定位置に設けられた拡散抵抗層3と、拡散抵抗層3を覆うようにして基板1上に設けられた層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10を挟んで拡散抵抗層3の上方に所定の形状を有する配線7とを備え、拡散抵抗層3上の層間絶縁膜10と配線7との間には、空隙部20を有するものである。従来の半導体装置と比べて、拡散抵抗層3と配線7との間の誘電率は確実に小さくなり、当該間の寄生容量は大幅に低減されて、配線7の電圧による拡散抵抗層3の反転は確実に阻止するようなされる。

請求項（抜粋）：

所定の下地部材と、前記下地部材内の所定位置に設けられた不純物拡散層と、前記不純物拡散層を覆うようにして前記下地部材上に設けられた絶縁性の膜と、前記絶縁性の膜を挟んで前記不純物拡散層の上方に所定の形状を有する配線部材とを備え、前記不純物拡散層上の前記絶縁性の膜と前記配線部材との間には、空隙部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 V

Fターム (49件)：

4M104AA05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB15 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD17 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF04 ,  4M104GG19 ,  4M104HH18 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK07 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX23 ,  5F033XX24