特許

J-GLOBAL ID：200903018890109790

表面処理方法および装置

発明者： 小野 哲郎 ,  水谷 巽 ,  久礼 得男 ,  児島 雅之 ,  徳永 尚文 ,  吉開 元彦 ,  佐藤 孝 ,  後藤 康
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-256926
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091321
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】プラズマを用いた半導体素子の微細パタンのエッチング処理において、ラインパタンの太りと形状マイクロローディングを低減し異方性を向上させるとともに選択比の低下を防ぐ。【解決手段】プラズマエッチングによる微細パタンの加工において、試料に入射するイオンのエネルギーを十分高くすると同時に、イオンを加速するための高周波電源をオンオフする。

請求項（抜粋）：

真空容器とその中にプラズマを発生させる手段およびプラズマにより表面処理される試料を設置する試料台と試料に高周波電圧を印加するための高周波電源からなる装置による微細パタンのエッチングにおいて、エッチングの垂直性が向上するように高周波電圧の振幅を高くして、かつ高周波電源をオンとオフを繰返したことを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  B01J 19/08 H

Fターム (40件)：

4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC06 ,  4G075CA14 ,  4G075CA26 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  5F004AA05 ,  5F004AA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB13 ,  5F004BB17 ,  5F004BC01 ,  5F004BD02 ,  5F004BD03 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB17 ,  5F004DB26 ,  5F004EA01 ,  5F004EA09 ,  5F004EA28 ,  5F004EA29 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03