磁場検出装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-275945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-090432
出願日： 2000年09月12日
公開日（公表日）： 2002年03月27日
要約：

【要約】【課題】感度が高く且つ感度調整の容易な磁場検出装置を得ること。【解決手段】検出軸方向の成分である外部磁場の大きさが増加するに連れて、インピーダンスが減少する磁気インピーダンス特性でインピーダンスが変化する磁気インピーダンス効果を用いている。外部磁場に応じてインピーダンスの変化する感磁素子10に発振回路13及び微分回路14を介してパルス電流が供給されている。感磁素子の端子間のインピーダンスに比例した電圧が、バルス電流に同期してオンするスイッチ15、ピークを保持する信号処理回路16により検出される。信号処理回路16の出力は、コンパレータ171により所定レベルと比較される。

請求項（抜粋）：

検出軸方向の成分である外部磁場の大きさが増加するに連れて、インピーダンスが減少する磁気インピーダンス特性でインピーダンスが変化する磁気インピーダンス効果を用いた磁場検出装置において、パルス電流又は高周波電流により周回方向に励磁され、前記外部磁場に応じてインピーダンスの変化する感磁素子と、前記感磁素子に前記パルス電流又は前記交流電流を供給する発振手段と、前記感磁素子の端子間のインピーダンスに関連する物理量を検出する検出手段と、前記検出手段の出力信号を所定レベルと比較し、比較結果を2値信号として出力する比較手段とを有することを特徴とする磁場検出装置。

IPC (2件)：

G01R 33/02 , H03K 17/95

FI (2件)：

G01R 33/02 D , H03K 17/95 G

Fターム (17件)：

2G017AA02 , 2G017AA03 , 2G017AB00 , 2G017AC00 , 2G017AC01 , 2G017AC09 , 2G017AD69 , 2G017BA03 , 2G017BA05 , 2G017BA11 , 5J050AA05 , 5J050AA35 , 5J050BB22 , 5J050CC09 , 5J050DD00 , 5J050FF23 , 5J050FF29

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気インダクタンス素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-322123 出願人：新技術事業団
特開平4-204162
磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-146652 出願人：多摩電気工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

アモルファスMI素子のコイル電圧検出方式によるC-MOS磁界センサ

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