特許

J-GLOBAL ID：200903018899015055

半導体装置の製造方法

発明者： 成瀬 宏 ,  菅谷 弘幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-159397
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012716
出願日： 1996年06月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 簡単な方法でコストがかさむことのなく、かつトレンチコーナー部への応力集中を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1に溝6を形成し、その後、半導体基板1を800°C以上の非酸化性雰囲気中でアニールすることで溝の角部6a、6bを丸める。

請求項（抜粋）：

半導体基板に溝を形成する工程と、その後、前記半導体基板を800°C以上の非酸化性雰囲気中でアニールすることで前記溝の開口部及び底部の角を丸める工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C