特許
J-GLOBAL ID：200903018899693940
縦型拡散炉による酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292356
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102132
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜の膜厚が、ロード時、昇温時に巻き込まれるエアーによる酸化防止のために供給される窒素ガスによりウェハ表面部が局部的に窒化されることに起因して不均一になることを防止する。【構成】 半導体ウェハの縦型拡散炉へのロード時及びロード時の温度から拡散温度への昇温時に該縦型拡散炉内を、窒素ガスに微量酸素ガスを加えた雰囲気又は希ガス雰囲気にする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの縦型拡散炉へのロード時及びロード時の温度から拡散温度への昇温時に該縦型拡散炉内を、窒素ガスに微量酸素ガスを加えた雰囲気にすることを特徴とする縦型拡散炉による酸化膜の形成方法
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/22
, H01L 21/31
