特許
J-GLOBAL ID：200903018899802251
不揮発性メモリ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145082
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 不揮発性メモリのメモリセルサイズの縮小。【構成】 フローティングゲート92とコントロールゲート30と補助ゲート14を有する不揮発性メモリにおいて、補助ゲートの側壁に形成したポリシリコンの側壁スペーサーの不要部分をコントロールゲート形成時に使用するレジストパターンをマスクにしてエッチング除去することによりフローティングゲートをコントロールゲートに対してセルフアラインで形成する。【効果】 メモリセルサイズの縮小により、チップサイズが縮小できるので、歩留りの向上を図ることができる。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜及びフィールド酸化膜を有するSi基板上に配設されたポリシリコンの補助ゲートと、活性領域に位置する補助ゲートの側壁に第一絶縁膜の小片を介して配設され、ポリシリコンの側壁スペーサーの不要部分をエッチングすることによって活性領域上に形成されるフローティングゲートと、第二絶縁膜を介して少なくともフローティングゲート上に配設されたポリシリコンのコントロールゲートとを備え、フローティングゲートがコントロールゲートに対してセルフアラインで形成される不揮発性メモリ。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
