特許

J-GLOBAL ID：200903018903835259

過電圧保護用半導体デバイス

発明者： ヨーゼフ-マチアス ガンチオーラー ,  アルフレート ポルスト ,  ハンス シユトウート ,  イエネ チハニ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-063312
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263640
出願日： 1995年02月27日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 MOSFET及びIGBTは特にドレーンもしくはコレクタ端子とゲート端子との間に電圧制限ダイオード(2)を挿入することによって過電圧から保護される。このような半導体素子にフリーホイールダイオード(4)が逆並列に接続されると、電圧制限ダイオードはフリーホイールダイオードの絶縁破壊電圧よりも一定の大きさだけ低い絶縁破壊電圧を持たねばならない。このようなMOSFET及びIGBTの過電圧保護用半導体素子を提供する。【構成】 電圧制限ダイオードをフリーホイールダイオードの半導体素体内に集積し、電圧制限ダイオードのアノード層を適当に形成する。

請求項（抜粋）：

フリーホイールダイオードを逆並列に接続しかつコレクタ(ドレーン)端子とゲート端子との間に接続された電圧制限ダイオードを備え、電界効果によって制御される半導体装置の過電圧保護用半導体素子において、電圧制限ダイオードがフリーホイールダイオード(4)の半導体素体内に集積され、電圧制限ダイオードがフリーホイールダイオードの絶縁破壊電圧より小さい絶縁破壊電圧を示しかつ両ダイオードが分離されたアノード端子(19、20)を有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 321 J ,  H01L 29/78 657 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-000767
  
• 特開平4-320067
  
• 特開平4-000767
  
• 特開平4-320067